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半导体材料

直拉硅单晶

直拉硅单晶(CZ-Silicon

/轻掺直拉硅单晶适用于制作各类集成电路蛔扒、二极管锣、 三极管痹、绿色能源太阳能电池等尽欠。可掺入特殊元素例如镓(Ga)奠、锗(Ge)曙卿袖,制作出特殊器件需要的高效垢、抗辐射具、抗衰减的 太阳能电池用材料朔皮掏。

磁场直拉硅单晶(MCZ

将磁场用于直拉工艺盾,生产出具有低氧含量乌兴票、高电阻率均匀性的直拉单晶币苦抛,适用于制作各类集成电路器件秘、各类分立器件顿,低氧太阳能电池的硅材料乒。

重掺杂硅单晶(CZ heavily doped crystal

采用特殊掺杂装置及直拉工艺踩,可制备出电阻率极低的掺磷断诬、砷恃、锑(P兢兜、Sb罢、As)的重掺直拉硅单晶仙托,主要用作外延片的衬底材料罚,用于制造超大规模集成电路开关电源倘屋、肖特基土举、二极管和场控高频电力电子器件等特殊电子器件慌。

<110>特殊晶向直拉硅单晶

<110>硅单晶产品具有原始晶向<110>飞每搭,不需二次加工调整晶向荒,具有晶格结构完美岛篓坊,氧碳含量低等特点烩,是一种新型的太阳能电池材料武,也可以用于新一代电池材料坦权。

 

直拉硅单晶规格

CZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

直拉(CZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

磁场直拉(MCZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

重掺杂

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-1

硅片规格

Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

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