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半导体材料

区熔硅单晶

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon

通过区熔工艺拉制的低杂质含量纲板拴、低缺陷密度淌典琶,晶格结构完美的硅单晶息,晶体生长过程中不引入任何杂质撤,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上涤摔烂,主要用于制作高反压器件和光电子器件舵逗。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon

本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶技,保证了器件制作的成品率和一致性垄汤。主要用于制作硅整流器(SR)裳煎杠、可控硅(SCR)渡、巨型晶体管(GTR)皮、晶闸管(GRO)怒开镣、静电感应晶闸管(SITH)倾侗、绝缘栅双极晶体管(IGBT)即伺睹、超高压二极管(PIN)寝、 智能功率器件(SMART POWER)孙、功率集成器件(POWER IC)等虑岛庞,是各类变频器甸玻啊、整流器喝修、大功率控制器件飘剃提、新型电力电子器件的主体功能材料按娠谓,也是多种探测器梗、传感器拾枪稍、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料封嗅。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon

利用杂质的扩散机理郎荆,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质辉就绢,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题沙度,可得到N型或P型怀、电阻率范围0.001-300Ω.cm蹲信,电阻率均匀性与中子辐照相当的气掺硅单晶顽隧,其电阻率在适用于制作各类半导体功率器件孟氏、绝缘栅双极晶体管(IGBT)绅惭哨、高效太阳能电池等僧捅。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon

采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶殴,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间臣。可掺入特殊元素例如镓(Ga)敦、锗(Ge)等默。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片肌厩沟,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片渡伺壕,太阳能电池转换效率高达24-26%恫。产品主要应用于特殊结构闲蠕、背接触赖、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上怜,并更为广泛的用于LED匈赎奔、功率器件狼科、汽车嘲沃思、卫星等众多产品和领域中盖泊剔。

 

区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

高阻

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1000

中子辐照(NTD

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔(CFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂(GD

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

硅片规格

  Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

 

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