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技术与研发

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技术成果
重点项目介绍
天津市2007年二十项重大工业项目之一 6英寸0.35微米功率半导体器件生产线该项目是天津市二十大重点工业项目匈滤妊,生产线具备完善MOSFET/SBD/IGBT/FRED/TVS等加工工艺方,可进行功率集成电路的生产圣、制造帆垢,成为国内最先进的功率生产线之一柑扯。拥有6英寸0.35微米功率器件牌沽呜,主要产品为功率集成电路和VDMOS熬凌烘、Trench MOS熊面、SBD扭、FRD辛弛衫、IGBT等系列功率分立器件溪谜庙。

该条生产线具备研发IGBT及对IGBT用区熔硅材料验证的能力纹侗啸。公司具有多年从事半导体功率器件研发和生产的经验枫,拥有半导体功率器件从芯片制造到产品封装的全套技术赁。目前公司已成功实现6英寸IGBT用区熔硅单晶材料的产业化技术携喀尸,并成功研制出1200V Trench IGBT碗独凹。
天津市2008年二十项重大工业项目之一 天津市2008年二十项重大工业项目之一 该项目建成了Φ4-Φ6〞大直径区熔硅单晶及抛光片生产线穿丘哪,完成了Φ4-Φ6〞区熔硅单晶抛光片的腐蚀璃、背损伤偷能、背封古俺擎、抛光等核心技术的开发绒桨骑,实现了高质量的大直径区熔硅抛光片产品的产业化林底,核心技术达到国内领先水平泊悉。

相关产品广泛应用在国家重点大型水利工程慧射沉、国家电网工程高速轨道交通棵敝、电动汽车及混合动力汽车鲸椽敬、绿色节能产业附姜,对节能轰轮、绿色憋、环保等领域具有极其重要的战略意义涩。
呼和浩特市2009年重点工业项目之一 绿色可再生能源太阳能电池用硅单晶材料产业化项目该项目中的高效太阳能电池用硅单晶春募皮、高拉速单晶生长技术椭捂呜、多次加料晶体生长技术及钻石线切割技术等关键技术属国内首创鲤檀峭。同时完成了面向太阳能电池N型晶体制备及DW超薄高效太阳能硅片加工等关键技术的研发及产业化仿纬屏,为产品在市场上的差异化粹逼、产销规模的领先地位及企业的发展奠定了坚实的基础墩纶。
国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》---02专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》项目该项目面向高压大功率IGBT芯片产品制造需求池,研究开发直径Φ6~Φ8〞区熔硅单晶片产业化技术晾,满足1200V-6500V IGBT芯片产业化对区熔硅单晶的需求蜜。2011年拉出我国第一颗区熔硅单晶庭,打破了国外企业对Φ8〞区熔硅单晶的技术垄断;2013年在国产区熔设备上拉制出我国首颗国产设备Φ8〞区熔硅单晶粮艾腔,产品达到国际先进水平鞠欠,不仅满足了国内日益增长的IGBT市场需求副泡,为构建国内区熔硅材料产业联盟肮、合力解决国内区熔产业存在的多项重大技术问题贡献了不可或缺的力量控盆。
8英寸硅抛光片的研发及产业化该项目是公司引进二氧化硅背封机扣显淬、边缘抛光机愁、单面抛光系统兄沸锈、硅片分选仪等工艺检测设备敦奶喉,应用新技术亭句鼎,新工艺独立开发具有自主知识产权的8英寸节能型功率器件用诧、大规模集成电路用硅抛光片生产技术恨假仇,在消费电子赐硼、工业控制冻歧夸、新能源受村输、智能电网侠吵、轨道交通惊鲜、大型工业设施等电力电子产业领域进行应用蓟。促进了国内节能型功率器件立咸具、新型电力电子器件等产业的发展汞眠,实现高端材料的规模化生产毁呻,满足国际市场对高端区熔硅片日益增长的需求缸妹。
CFZ区熔单晶硅及金刚石线切片项目该项目主要采用自主研发的直拉区熔法(CFZ)制备高纯高效单晶硅棒技术从。通过CFZ法大幅度降低了区熔中子辐照单晶和区熔气掺单晶的成本怜附,其产品可以广泛用于现有区熔中视夏、低阻值半导体市衬啤,同时因其品质优势和低成本特点可以对现有直拉IC级市场进行产业延伸;在太阳能应用领域呸刊,因其产品具有低氧碳含量诬刀答、高纯度和饯、高寿命思和、抗辐射的特点蚀孺洪,提高了太阳能电池用单晶硅的光电转换效率池痘,可以达到24%-26%团。
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